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BSS138TA  与  BSS138N H6327  区别

型号 BSS138TA BSS138N H6327
唯样编号 A-BSS138TA A-BSS138N H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 50 V 3.5 Ohm Enhancement Mode FET-SOT-23 -use Diodes BSS138-7-F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5Ω@220mA,10V 3.5Ω@230mA,10V
上升时间 10ns 3ns
漏源极电压Vds 50V 60V
Pd-功率耗散(Max) 350mW 360mW
Qg-栅极电荷 - 1.4nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 15ns 6.7ns
正向跨导 - 最小值 - 100mS
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 200mA 230mA
通道数量 1Channel -
配置 Single Single
系列 BSS138 BSS138
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V -
长度 2.9mm 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 25ns 8.2ns
典型接通延迟时间 10ns 2.3ns
高度 1mm 1.10mm
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS138TA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 2.9mm

暂无价格 0 当前型号
BSS138N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS138NH6327XTSA2_2.9mm SOT-23

暂无价格 3,000 对比
BSS138LT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

2.9mm SOT-23

暂无价格 0 对比
BSS138N E8004 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比
BSS138LT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

2.9mm SOT-23

¥0.2297 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.2297
0 对比
BSS138NH6327XTSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS138N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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